أنت تستخدم إصدار مستعرض قديمًا. الرجاء استخدام إصدار معتمد للحصول على أفضل تجربة MSN.

華邦30奈米第4季量產 有助明年獲利

中央通訊社中央通訊社 28/07/2016 張建中

(中央社記者張建中台北28日電)記憶體製造廠華邦電總經理詹東義表示,過去 6年華邦電製程技術並未推進,自行開發的30奈米世代製程技術預計第 4季量產,將有助明年DRAM產品獲利提升。

華邦電下午召開法人說明會,公布上半年營運結果;華邦電上半年合併營收新台幣205.84億元,年增8%,毛利率29%,歸屬母公司淨利14.19億元,每股純益0.4元。

記憶體事業方面,利基型記憶體在網通及電視市場需求強勁下,上半年業績較去年同期成長5%;行動記憶體在特殊應用晶片需求增加,並成功打進一線廠客戶,業績也成長15%。

快閃記憶體在網通應用及1Gb以上高容量產品需求增加,上半年業績年增9%。

展望未來,詹東義表示,下半年營運將維持穩定,華邦電聚焦車用、工業及多晶片封裝(MCP)領域。

詹東義指出,華邦電於2010第4季自奇夢達技轉46奈米製程技術後,已有6年製程技術未推進,不過,今年第2季記憶體事業毛利率仍維持在24%水準。

詹東義說,華邦電自行開發的30奈米世代製程技術將於今年第4季導入量產,預期有助明年DRAM產品獲利提升,毛利率有機會拉高10至15個百分點;24奈米製程技術預計2018年上半年量產。

華邦電副總經理黃求己表示,今年資本支出約新台幣85億元,較原預期增加8億元,主要用以去瓶頸化及購買自動化與測試設備;至於Fab C新廠將於今年底完工,預計12月移入機台。1050728

image beaconimage beaconimage beacon