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記憶體明年看增1成 DRAM與NAND續旺

中央通訊社 標誌中央通訊社 2016/12/21 張建中

(中央社記者張建中新竹21日電)研調機構ICInsights看好明年動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場可望同步成長,並將帶動整體記憶體市場成長10%水準。

IC Insights表示,今年上半年記憶體市場延續2015年疲弱情況,全年市場恐將較去年再衰退1%;不過,下半年記憶體價格走強,市場浮現強勁訊號。

展望未來,IC Insights預期,明年DRAM與NANDFlash平均售價可望同步揚升,將帶動整體記憶體市場達853億美元規模,將較今年成長10%,並將創下歷史新高紀錄。

其中,DRAM市場明年可望成長11%,IC Insights預估,明年NAND Flash市場也將成長10%。

IC Insights預期,2020年記憶體市場將首度超越美元1000億大關,2021年將可進一步逼進美元1100億規模;2016年至2021年記憶體市場年複合成長率將約7.3%。1051221

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