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綠能晶片蝕刻技術獲台灣專利肯定 正進一步申請海外專利

鉅亨網 鉅亨網 2016/7/19 鉅亨網記者張欽發 台北

太陽能多晶片大廠綠能科技(3519-TW)的高階矽晶圓切割技術再獲專利肯定。由綠能為使新世代鑽石切割晶片效率最佳化並創「蝕刻液與矽基板表面粗糙化方法」,已獲得國內發明專利許可,運用此一專利技術將使綠能高階晶片效率再提升。

綠能科技表示,綠能濕蝕刻技術配合鑽石線切割,預估最高可提升晶片轉換效率達0.4%;使綠能高效晶片,搭配電池PERC技術,最高效率可達19.5%,平均效率達18.4%。

同時,加上綠能新開發之140um鑽石切割製程,矽料耗損率可再降10%。依據設備導入時間與電池端製程搭配技術估算,濕蝕刻技術在2017年可陸續導入供應鏈製程。

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綠能科技積極研發下世代濕蝕刻與乾蝕刻製程,其所獲此項專利研發,以獨特配方比例調製蝕刻液,並搭配精確控制的晶片溫度與蝕刻時程,使矽晶片表面均勻粗糙化,避免晶片黑化,並移除損傷層。蝕刻後晶片,接續沖洗與乾燥製程,廢料並同步在製程上回收。

綠能科技「蝕刻液與矽基板表面粗糙化方法」除獲得到台灣專利許可,並已在中國大陸專利審查程序中,預估將可進一步獲得認可。綠能科技將開發更多高效率與製程專利技術,以持續在國際市場的高階競爭優勢

綠能科技指出,目前太陽能矽晶切片製程多以銅線搭配切削液為主,而鑽石切割線在耐用度與生產力上表現佳,預期可成為下階段主要製程之一。綠能科技因此雙向並進,除在銅線切片獲專利切割與研磨技術外,也同步研發新世代鑽石切割技術。

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