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記憶體明年可望轉正成長 NAND後勢看俏

中央通訊社中央通訊社 2016/12/2 吳家豪

(中央社記者吳家豪台北 2日電)美系外資預估,全球記憶體市場營收今年將下滑3%,但看好明年NAND成長優於DRAM,將帶動整體記憶體市場營收成長15%,回到健康水準,個股推薦順序為三星、東芝、SK海力士。

美系外資出具全球記憶體市場研究報告,預估今年NAND(儲存型快閃記憶體)與DRAM(動態隨機存取記憶體)合計營收將年減3%,但明年營收可望回到雙位數成長的健康水準、年增15%,主因NAND預估明年將大幅成長25%,遠優於DRAM預估成長7%。

雖然美系外資預估DRAM記憶體明年初仍將維持近乎供需平衡,但DRAM占智慧型手機材料成本(BOM)比例拉高,恐導致DRAM明年成長趨緩。

反觀NAND記憶體供給依舊吃緊,美系外資預期2018年第3季前NAND可望維持年增雙位數的成長,加上3DNAND快閃記憶體出貨看增且SSD(固態硬碟)市場成長強勁,預估2017年NAND市場規模將上看約400億美元(約新台幣1.28兆元),並可望於2018年首度超越DRAM市場規模。

選股策略方面,美系外資考量DRAM市場營收將於第4季登上高峰,而NAND市場動能可望延續至2018年第3季,明年NAND族群與DRAM族群表現落差恐拉大,在亞洲記憶體類股推薦順序為三星、東芝、SK海力士。1051202

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