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DRAM價漲2成 集邦:後市可望續揚

中央通訊社中央通訊社 2016/11/2 張建中

(中央社記者張建中新竹2日電)動態隨機存取記憶體(DRAM)10月模組合約價大漲逾2成,市調機構集邦科技認為,這將有助DRAM廠維持不錯的獲利結構,同時將提高中國大陸進入DRAM產業門檻。

據集邦科技調查,10月4GB的DRAM模組合約均價攀高至17.5美元,較9月大漲超過2成,市場並看好後市可望持續走揚。

除DRAM供應商陸續將產能移轉生產行動記憶體與伺服器記憶體,集邦科技表示,廠商庫存水位偏低,與旺季需求比預期佳,都是帶動這波DRAM價格急遽走揚的主因。

集邦科技指出,三星(Samsung)、海力士(SKHynix)與美光(Micron)三大DRAM廠認同當前競爭態勢,不再削價競爭,確保自身最大利益。

集邦科技預期,各DRAM廠明年資本支出應不會擴大,2017年位元供給成長率將低於20%,將為近8年新低水準。

針對這波DRAM價格大漲,集邦科技認為,除將有助DRAM廠維持不錯的獲利結構,並將降低DRAM廠與中國大陸合作意願,提高中國大陸進入DRAM產業門檻。1051102

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