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英特爾發表 10 奈米製程,強調效能領先台積電與三星

T客邦 標誌 T客邦 2017/9/20 TechNews科技新報

隨著在晶圓代工領域的競爭對手台積電與三星,均已陸續進入 10 奈米製程技術領域。因此,半導體大廠英特爾(intel)也不甘示弱,在 19 日於中國北京所舉辦的尖端製造大會上,正式公佈了自家的 10 奈米製程技術,以及全球首次對外展示的 10 奈米的晶圓。

除此之外,intel 還宣佈,將在接下來的技術大會上,除了介紹了自家的 10 奈米製程技術之外,同時也將與競爭對手,也就是台積電以及三星的 10 奈米製程技術進行比較。

會議上,Intel 高級院士、製程架構總監 Mark T.Bohr 發表了 Intel 的 10 奈米製程技術。Mark T.Bohr 表示,與台積電和三星等競爭對手的對比,可以看到 Intel 的 10 奈米製程技術在鰭片的間距,以及柵極間距均低於台積電與三星,而且最小金屬間距更是大幅領先其競爭對手。 © 由 T客邦 提供

另外,進而在最終的邏輯電晶體密度參數上面,Intel 的 10 奈米製程技術能夠達到每平方毫米 1 億電晶體,而台積電為 4,800 萬,三星為 5,160 萬,也就是說 Intel 的 10 奈米製程技術電晶體密度是台積電的 2 倍還多。

另外,在英特爾執行副總裁 Stacy J.Smith 講解完 Intel 未來戰略演講後,Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 奈米製程技術所打造的晶圓,這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎的部分,可以說這個 10 奈米的晶圓是全球首次展示。雖然,Intel 表示自家的 10 奈米製程技術還將會領先競爭對手很多,而且未來還有 10 奈米 + 以及 10 奈米 ++ 製程技術。

不過,在目前 Intel 還沒有對最新的 10 奈米製程技術釋出更多的技術資訊情況下,相關的狀況仍無法完全確認。不過,intel 已經表示,將會在 2017 年底前正式投產 10 奈米製程技術的處理器。

 

●本文授權轉載自:科技新報

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